QSI的RF器件研发基于磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)等化合物半导体材料，采用可实现超高速运作的晶体管技术。通过此项研发，我们可提供基于超高速晶体管的以下专业服务：晶体管单体器件加工，单片微波集成电路(MMIC)制备. 如需要时 Chip Dicing 工程服务也可以一起提供.
该产品凭借可实现超高频与超低噪声的技术特性，不仅适用于6G基础设施的研发领域，在太赫兹成像等非通信应用场景同样表现卓越
QSI研发团队提供以下技术解决方案与服务.
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1
p-HEMT |
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100㎚ E-mode pHEMT |
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2
p-HEMT |
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80㎚ E-mode pHEMT |
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3
InGaAs HBT (TBD) |
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500㎚ HBT |
