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VCSEL R&D
VCSELD

VCSEL R&D

垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件基于砷化镓(GaAs)和砷化铝镓(AlGaAs)等化合物半导体材料制成。近年来,VCSEL作为激光雷达(LiDAR)和面部识别技术的传感光源迅速崛起,已成为3D图像传感器的核心组件。QSI正在开发应用于激光雷达和加热系统的多结高功率VCSEL外延片及芯片的关键工艺技术。需要时QSI 可以提供 VCSEL外延片供应,多结VCSEL技术开发. 由于可以使用VCSEL实现功率超过100W的光源,因此它能够作为激光雷达(LiDAR)和加热系统等设备的光源应用于自动驾驶领域

图1 图2
1

高功率VCSEL外延生长技术开发

Tunnel Junction 生长技术 及器件制造

2

Triple-Junction VCSEL Array 设计与制作

10W 以上高功率输出

3

激光雷达及加热系统用多结VCSEL与器件

用多结VCSEL设计与器件制造